OC de mi memoria AYUDITA/CABLE

[flashbio]

A ver si en este post me haceis mas caso q en el otro del L12…:muerto: .
Vamos a ver, quiero trrapichear con los steps de la memoria, problema básico, no tengo puñetera idea. Os pongo lo q me sale en la bios y a ver si vosotros me comentais lo q se suele tocar y q valores se pueden poner:

-DRAM CAS Latency 2.5
-Bank Inter Leave 4 bank
-Precharge to active (creo) (TRP) 3t
-Tras-Non-DDR400/DDR400 7t/10t
-Active to CMD (tred) 3t
-DRAM burst Length 4
-DRAM Queue Depth 4 level
-DRAM Command rate 2t
-Write Recovery time 3t
-DRAM TWTR 3t

A ver echaime un cable pleeeeease.

[NaKaToN]

Uuufffff!!! muchas cosas pones tu ahi pero vamos a ver.;)

Para que esto sea valido para la mayoria de usuarios me referire a los puntos mas comunes para DDR´s

Configuracion de memorias en la BIOS
Lo primero es saber que es el "CAS" famoso y como funcionan las memorias.
Pues bien, las memorias funcionan como una matriz llena de celdas y en ellas se almacenan numeros y se realizan formulas.Cada una de estas celdas esta identificada por su fila y su columna como en la guerra de barcos.

CAS Latency (CL)
CAS "Column Address Strobe" nos indica la columna y RAS "Row Addres Strobe" la fila de la matriz.
Cuando hablamos de CAS Latency la latencia es el tiempo que pasara desta que tiene un dato encontrado en la matriz ,localizado en su fila y su columna, hasta que empieza a mandarlo (reaccion)

De aqui la importancia del CL puesto que de CL2 a CL3 la memoria iria un 33% mas lenta (no tanto pues influyen otros factores , pero para hacernos una idea sirve.) Asi es preferible CL2 a CL2.5 y a CL3

RAS to CAS delay (tRCD) (a veces estos parametros van por separado)
La memoria primero busca en la fila "ROW" es cuando se activa el RAS para encontrar la fila correcta y tras un retraso busca en la columna "COLUMN" y se activa el CAS para encontrar la columna correcta.
Este retraso es el RAS to CAS delay.Cuanto menor sea mas rapida es la memoria. Preferible 2 a 3 (4 y 5 solo para exprimirle algun Mhz a la ram)

RAS Precharge time (tRP)
Este seria el tiempo minimo entre que una operacion de lectura/escritura se produce y la siguiente operacion de lectura/escritura se pede producir en el modulo.
Asi pues aqui tambien es mejor poner tiempos bajos 2 es preferible a 3 y este factor puede determinar el nivel de overclock en algunas memorias como la Kingston de 333Mhz que aqui necesita 3 para funcionar a partir de los 266Mhz mas o menos.

tRAS cycle time
Row Active latency. este tengo mis dudas
Segun entiendo este seria el tiempo que una "celda" tras ser encontrada una informacion a traves de CAS y RAS mantiene visible esa informacion por lo que este deberia ser alto aunque no demasiado para no bloquear la siguiente operacion de lectura escritura aunque parece que no es asi y a menor tiempo mejores, aunque casi imperceptibles, resultados.
Independientemente lo normal es 6 o 7 , 5 lo soportan muy poquitas memorias y menos casi ninguna
Este punto tambien cuelga muchos overclocks.

Pos eso es todo, me voy a cenar.
Si quereis añadir algo o corregir estaria bien pues esto es lo que yo "entiendo" del funcionamiento de las memorias xo con mas opiniones seguro que podremos sacar algo mas en claro.

A ver si te ha servido para algo. Un Saludo.