Como realizar el "Burn-In" a las memorias UTT/BH5
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Como ya sabreis mas de uno, estas memorias antes de dar todo su potencial hay que hacerles un "rodaje" para que luego suban bien. Principalmente si las memorias son nuevas (recordad que ahora tambien estan saliendo BH-5 nuevas, asi que no solo se remite a las UTT).
Antes de empezar hay que tweaker la memoria para dejarla con los timings más agresivos posibles ( Cas 2-2-2-5-2-etc)
Poned el vdimm entorno a 3'2-3'3V y poned el FSB un poco alto (que sepais que puede aguantar) unos 230Mhz por ejemplo.
Entonces arrancad el memtest (yo uso un cd con el 1.51+) y ponedle el test #5 (siempre el 5) entonces mirad hasta donde podeis llegar hasta que salgan pocos errores (pocos son menos de 100) en una pasada.
En este punto dejadlo en modo loop durante 6 horas. Entonces subid el bus unos 5Mhz más y repetid el procedimiento (loop durante 6 horas).
Deberiais ver un progreso positivo en cuanto a los errores que muestra (en cada pasada mostrar menos).Y para que el proceso sea bueno deberiais repetirlo durante 3 dias.
Como podeis haber comprobado, las memorias de segunda mano suelen subir mejor que las memorias totalmente nuevas. De hecho cuando salieron las BH5 no eran nada del otro mundo, no fue hasta al cabo de un tiempo que empezaron a verse resultados espectaculares con esos chips.
Tambien debereis tener en cuenta la refrigeración. Lo mejor es quitarles los disipadores (si llevan) y añadir un ventilador de 80cm (o 2 si os lo permite) de almenos 20cfm's (tampoco se necesita mucho mas) soplando directamente a los dimms durante el proceso.
Una vez creeis que no se puede mejorar el resultado (estareis por ejemplo a los 245Mhz con pocos errores pero a los 250 no hay forma de que salgan pocos) subid una décima el vdimm y repetid el proceso pero esta vez solo 6 horas (recordad que para ir bien antes de pasar de 3'2-3'3v hay que testearlas durante 3 dias), si desaparecen los errores, subid 5Mhz más y paciencia
Bueno espero que esto sirva de ayuda a algunos, si alguien quiere postear sus resultados adelante, y si alguien tiene memorias nuevas para probarlo pues aun mejor.
Esto no es una ciencia exacta… y en cada lugar que he mirado dicen cosas distintas asi que puede que algunos no esten de acuerdo con el proceso.
De todos modos, ahi queda
PD: por la información que ha encontrado kynes, quizas lo mejor seria empezar a 200Mhz, voltage alto y bien refrigerado.
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Fijalo no? mejor arriba que se hunda en el foro y seguire burneando esta un rato jajaj
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Joer, me has dejado loco. No sabía esto del rodaje con estas memorias.
Y que fundamento cientifico tiene?? Porque si llevase partes mecánica si pero que rodaje se le puede hacer un sistema 100% electrónico???
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Yo tampoco sabía lo del rodaje de las memorias, aunque debido al nulo overclock al que tengo sometido al equipo, tampoco es cosa de preocuparse a estas alturas…
Pero lo del memtest lo veo totalmente lógico, ya no por el "rodaje" de las memorias, sino por asegurarse de que están 100% sanas y de que no hay síntomas de posibles incompatibilidades con la placa base o otros módulos ya instalados.
PD: ¿BH no era una marca de bicicletas?
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A ver… tengo unas preguntillas, contestadme a las que podais.
- El "rodaje" es sólo válido para ese tipo de memorias?? las mias son genéricas y no se que chip montan.
- Si las memorias no son nuevas (1 año), es posible que necesiten realizar este tipo de pruebas para poder dar mas?
Todo esto lo digo porque mi procesador puede subir más y la placa no tanto pero algo si, sin embargo las memorias no aguantan el prime ni a 326 mhz aunque sean 333 en teoría, - es normal que no aguanten ni su frecuencia recomendada? o sus problemas pueden venir por la propia placa?
Salu2 y muchas gracias
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Buenas a todos, todos…
A mi me pasa lo mismo que a _Ruso, Las memorias que tengo son "Genericas" pueden ir a 400, la placa da mucho de si, la CPU tambien pelo las memorias...
¿Deberia de hacerles el rodaje? ¿Como puedo saber el chip que llevan?
Salu2 -
El "rodaje" es únicamente para las UTT/BH5, son las únicas que adminten esos voltajes tan altos. Desconozco si se conseguiría algo en otras memorias a voltajes menores (poner más de 3.2v a otro tipo de memorias es cargarselas), pero casi seguro que no.
Un saludo.
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Y que fundamento cientifico tiene?? Porque si llevase partes mecánica si pero que rodaje se le puede hacer un sistema 100% electrónico???
En este punto dejadlo en modo loop durante 6 horas. Entonces subid el bus unos 5Mhz más y repetid el procedimiento (loop durante 6 horas).
Deberiais ver un progreso positivo en cuanto a los errores que muestra (en cada pasada mostrar menos).Que pruebas mas cientificas quieres cada vez da mas errores eso es sintoma de que mejora no?
editado: post 300 que gusto da este foro y cuanto dinero se gasta uno cuando lleva tiempo por aqui
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Los semiconductores de las memorias,micros, vamos componentes electricos estan compuestos de metales, aleaciones de metales para ser mas exactos, en mayor o menor proporcion.Por tanto estos tinen impurezas, es decir q tienen atomos de otros elementos q no son los mas adecuados para la conduccion de los electrones atraves de ellos y por tanto entorpecen el paso.Lo que hacemos con el "rodaje", es; al dar paso por los conductores tal cantidad de electrones, (3,3 v es bastante) y ademas cada vez mas rapido, lo q hacemos es marcar mejor el paso de estos por los semiconductores, es decir q desplazamos las impurezas y estas nos molestan menos.De ahi q sea tanto tiempo el burning y a esa cantidad de voltaje.Segun tengo entendido las unicas que permiten tanto vdimm son las UTT/BH5 si lo haces con otras seria arriesgado y las fundirias.La explicacion es un poco Chapucera pero mas o menos ese es el concepto.
SEDG.RaVeN Hasta donde has subido tus OCZ vx con 2-2-2-5 ??, perdiendo timings has probado hasta donde??.
2-3-3-5=?
2.5-3-3-5=? -
Pues tanas practicamente la ha clavado, en eso se basa el fundamento cientifico. Por ahi en un foro guiri dicen que se hace para llegar a todas las "memory cells" lo antes posible y no dejarlas reposar ni un segundo. De ahi que antes de empezar el burn in debemos poner los timings mas agresivos posibles, para que la velocidad entre las celulas de la memoria sea la más alta posible.
En un principio yo sol he visto que sea válido para BH-5/UTT-CH5/UTT-BH5. Imagino que las BH-6 también entrarian en el paquete. -
Pues estan a 520 a 2-2-2¿? y ahi se han quedado solos no se, y aparte lo pongo en cas 2.5 y no arranca el jodio :vayatela:
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Los semiconductores de las memorias,micros, vamos componentes electricos estan compuestos de metales, aleaciones de metales para ser mas exactos, en mayor o menor proporcion.Por tanto estos tinen impurezas, es decir q tienen atomos de otros elementos q no son los mas adecuados para la conduccion de los electrones atraves de ellos y por tanto entorpecen el paso.Lo que hacemos con el "rodaje", es; al dar paso por los conductores tal cantidad de electrones, (3,3 v es bastante) y ademas cada vez mas rapido, lo q hacemos es marcar mejor el paso de estos por los semiconductores, es decir q desplazamos las impurezas y estas nos molestan menos.De ahi q sea tanto tiempo el burning y a esa cantidad de voltaje.Segun tengo entendido las unicas que permiten tanto vdimm son las UTT/BH5 si lo haces con otras seria arriesgado y las fundirias.La explicacion es un poco Chapucera pero mas o menos ese es el concepto.
SEDG.RaVeN Hasta donde has subido tus OCZ vx con 2-2-2-5 ??, perdiendo timings has probado hasta donde??.
2-3-3-5=?
2.5-3-3-5=?Eres un hacha. Precisamente algo así es lo que quería oir. Te he dado algún puntito de reputación, sin peloteos eh!!! (que a ver si usamos esta característica un poco lo sque podemos). Que post así dan gusto leerlos.
SEDG.RaVeN, el que "debería ver un progreso positivo" no es ningún fundamento científico.
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Hombre como cientifico no pero es que no me explico tambien como Tanas
pero si ahi menos errores es por algo no? pues ya esta por algo sera :fumeta:
saludos -
Pero yo lo que quería saber es porque pasa eso. Esque es interesante el tema pero si no me dan una explicación pues no le doy mucha credibilidad (tambien depende de quien lo diga).
Esque si te digo que si metes el micro en yogur luego le puedes hacer más OC te lo crees porque yo te aseguro que es verdad??? Me imagino que pedirías una explicación de en que se basa eso.
Y para mi no vale eso de… por algo será, mientras sea verdad que más da. Soy así de cotilla -
Por que yogur es de bifiduss y l.casei inmunitas y mejoran la digestion y la flora del micro :risitas:
En verdad si lo piensas raya mucho eh el que me vendio estas no le lleganban a 250 y ahora las tengo yo en 260 ahi que joderse con los atomillos entorpecedores estos eh menos mal que la vez que las puse a 3,7 se quemarian todos :sisi: sino con los 65º que tenian se evaporaron -
Gracias Chicos.
Ademas este tema es muy interesante, ya q esto ocurre con muxos componentes.pero vamos mantener este post fijado es buena idea por q la gente esta montandose equipos nuevos, y las memorias con estos chip son muy buena opcion, y si haces un buen Burn-in tendras un rendimiento espectacular.Eso espera por que las proximas que me voy a comprar son las OCZ. XD.
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Los 4000 o las normales es que me gustaria saber cuanto suben las 4000 para ver si cambio las mias a ver si saco partido del san diego
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Igual o menos que las 3200 por lo que he visto… y las nuevas BH5 dicen que no merecen la pena en comparacion a las CH5 UTT.
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Los semiconductores de las memorias,micros, vamos componentes electricos estan compuestos de metales, aleaciones de metales para ser mas exactos, en mayor o menor proporcion.Por tanto estos tinen impurezas, es decir q tienen atomos de otros elementos q no son los mas adecuados para la conduccion de los electrones atraves de ellos y por tanto entorpecen el paso.Lo que hacemos con el "rodaje", es; al dar paso por los conductores tal cantidad de electrones, (3,3 v es bastante) y ademas cada vez mas rapido, lo q hacemos es marcar mejor el paso de estos por los semiconductores, es decir q desplazamos las impurezas y estas nos molestan menos.De ahi q sea tanto tiempo el burning y a esa cantidad de voltaje.Segun tengo entendido las unicas que permiten tanto vdimm son las UTT/BH5 si lo haces con otras seria arriesgado y las fundirias.La explicacion es un poco Chapucera pero mas o menos ese es el concepto.
SEDG.RaVeN Hasta donde has subido tus OCZ vx con 2-2-2-5 ??, perdiendo timings has probado hasta donde??.
2-3-3-5=?
2.5-3-3-5=?Un par de precisiones… Los semiconductores son semiconductores, ni metales (conductores) ni no metales (aislantes) Es más, tienen más de no metales que de metales por el tipo de enlace que forma el silicio (es un enlace covalente, el mismo que forman el carbono, el oxígeno... y no es un enlace metálico con nube electrónica) y para obtener los electrones que se necesitan para la conducción es para lo que se recurre al dopado. El silicio puro es aislante, debido a que tiene cuatro electrones en la capa de valencia y cristaliza formando cuatro enlaces dos a dos (comparte un electrón con cada uno de los cuatro átomos que le rodean) por lo que consigue de esta forma los ocho electrones de la configuración de gas noble, la estable. Los dopados se introducen con átomos que tienen en su capa de valencia cinco o tres electrones, por lo que nos sobraría un electrón o un hueco (que ejercería de carga positiva de sobra) y este electrón de más o de menos es lo que permite la conducción. Por este motivo es por lo que los dopados no entorpecen el paso sino todo lo contrario, son imprescindibles y a mayor dopado, mayor conducción. Otra cosa son las conexiones entre los transistores, que sí que se realizan mediante contactos metálicos (normalmente cobre) en las que las impurezas suelen reducir la conductividad eléctrica.
Otra cosa es la tensión, que si es mucha o poca. Esto depende, entre otras cosas, del tamaño del transistor (la llamada tecnología) que implica que a menor tamaño, menos tensión es necesaria para su funcionamiento. Los micros antiguos funcionaban a más de 3'3V, y hoy le metes a uno esa tensión y lo fries.
El motivo de funcionamiento del burning no se cual es, pero no es la eliminación de impurezas del semiconductor. Lo único que se me ocurre es la formación de zonas permanentes de conducción a ambos extremos del canal del transistor (el canal del transistor solo conduce al aplicar una tensión determinada en cada una de las patas) y por ello se aumenta la conductividad. Debido a este aumento de la conductividad se permite un mayor paso de la corriente a igual tensión, por lo que se facilita el cambio de estado. Sería la aplicación de un efecto con las mismas consecuencias del silicio tensado (aumentar la conductividad del canal del transistor) pero mediante formas diferentes. El silicio tensado aumentando la conductividad de todo el canal de forma reducida pero uniforme, el burning de forma abrupta pero solo en una parte, dejando el centro del canal con mucha menor conductividad que los extremos. El problema es que existe la posibilidad de romper el transistor al realizar un exceso de quemado, y formar un canal conductor permanente, con lo que el transistor conduciría siempre y habríamos destruido el chip.
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Yeah the 1,1,2,1,1,2,1 means just the tightest Alpha timings you can. They dont NEED to be that tight, but the idea of rapid-burnin is to hit the memory cells as hard and fast as possible. So the fewer waitstates in all things the better.
On the DS and SlewR settings. At some point you should experiment to find what settings give you the best results, but this is a very long tedious process of change/test change/test and only impacts very slightly. So FIRST get everything else tweaked to the absolute maximum…THEN tweak in the best possible DS/SR setting.
In OC'ing to find the true max, its important not to travel down the wildgoose lane. So voltages/timings first, balance FSB-vs-Core based on the best your components can do, then get more and more into the esoteric final tweaks.
A ver si alguien encuentra una explicación al tema, porque que funciona esta claro, falta saber exactamente porque :D:D
