Como realizar el "Burn-In" a las memorias UTT/BH5
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Pues tanas practicamente la ha clavado, en eso se basa el fundamento cientifico. Por ahi en un foro guiri dicen que se hace para llegar a todas las "memory cells" lo antes posible y no dejarlas reposar ni un segundo. De ahi que antes de empezar el burn in debemos poner los timings mas agresivos posibles, para que la velocidad entre las celulas de la memoria sea la más alta posible.
En un principio yo sol he visto que sea válido para BH-5/UTT-CH5/UTT-BH5. Imagino que las BH-6 también entrarian en el paquete. -
Pues estan a 520 a 2-2-2¿? y ahi se han quedado solos no se, y aparte lo pongo en cas 2.5 y no arranca el jodio :vayatela:
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Los semiconductores de las memorias,micros, vamos componentes electricos estan compuestos de metales, aleaciones de metales para ser mas exactos, en mayor o menor proporcion.Por tanto estos tinen impurezas, es decir q tienen atomos de otros elementos q no son los mas adecuados para la conduccion de los electrones atraves de ellos y por tanto entorpecen el paso.Lo que hacemos con el "rodaje", es; al dar paso por los conductores tal cantidad de electrones, (3,3 v es bastante) y ademas cada vez mas rapido, lo q hacemos es marcar mejor el paso de estos por los semiconductores, es decir q desplazamos las impurezas y estas nos molestan menos.De ahi q sea tanto tiempo el burning y a esa cantidad de voltaje.Segun tengo entendido las unicas que permiten tanto vdimm son las UTT/BH5 si lo haces con otras seria arriesgado y las fundirias.La explicacion es un poco Chapucera pero mas o menos ese es el concepto.
SEDG.RaVeN Hasta donde has subido tus OCZ vx con 2-2-2-5 ??, perdiendo timings has probado hasta donde??.
2-3-3-5=?
2.5-3-3-5=?Eres un hacha. Precisamente algo así es lo que quería oir. Te he dado algún puntito de reputación, sin peloteos eh!!! (que a ver si usamos esta característica un poco lo sque podemos). Que post así dan gusto leerlos.
SEDG.RaVeN, el que "debería ver un progreso positivo" no es ningún fundamento científico.
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Hombre como cientifico no pero es que no me explico tambien como Tanas
pero si ahi menos errores es por algo no? pues ya esta por algo sera :fumeta:
saludos -
Pero yo lo que quería saber es porque pasa eso. Esque es interesante el tema pero si no me dan una explicación pues no le doy mucha credibilidad (tambien depende de quien lo diga).
Esque si te digo que si metes el micro en yogur luego le puedes hacer más OC te lo crees porque yo te aseguro que es verdad??? Me imagino que pedirías una explicación de en que se basa eso.
Y para mi no vale eso de… por algo será, mientras sea verdad que más da. Soy así de cotilla
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Por que yogur es de bifiduss y l.casei inmunitas y mejoran la digestion y la flora del micro :risitas:
En verdad si lo piensas raya mucho eh el que me vendio estas no le lleganban a 250 y ahora las tengo yo en 260 ahi que joderse con los atomillos entorpecedores estos eh menos mal que la vez que las puse a 3,7 se quemarian todos :sisi: sino con los 65º que tenian se evaporaron -
Gracias Chicos.
Ademas este tema es muy interesante, ya q esto ocurre con muxos componentes.pero vamos mantener este post fijado es buena idea por q la gente esta montandose equipos nuevos, y las memorias con estos chip son muy buena opcion, y si haces un buen Burn-in tendras un rendimiento espectacular.Eso espera por que las proximas que me voy a comprar son las OCZ. XD.
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Los 4000 o las normales es que me gustaria saber cuanto suben las 4000 para ver si cambio las mias a ver si saco partido del san diego
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Igual o menos que las 3200 por lo que he visto… y las nuevas BH5 dicen que no merecen la pena en comparacion a las CH5 UTT.
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Los semiconductores de las memorias,micros, vamos componentes electricos estan compuestos de metales, aleaciones de metales para ser mas exactos, en mayor o menor proporcion.Por tanto estos tinen impurezas, es decir q tienen atomos de otros elementos q no son los mas adecuados para la conduccion de los electrones atraves de ellos y por tanto entorpecen el paso.Lo que hacemos con el "rodaje", es; al dar paso por los conductores tal cantidad de electrones, (3,3 v es bastante) y ademas cada vez mas rapido, lo q hacemos es marcar mejor el paso de estos por los semiconductores, es decir q desplazamos las impurezas y estas nos molestan menos.De ahi q sea tanto tiempo el burning y a esa cantidad de voltaje.Segun tengo entendido las unicas que permiten tanto vdimm son las UTT/BH5 si lo haces con otras seria arriesgado y las fundirias.La explicacion es un poco Chapucera pero mas o menos ese es el concepto.
SEDG.RaVeN Hasta donde has subido tus OCZ vx con 2-2-2-5 ??, perdiendo timings has probado hasta donde??.
2-3-3-5=?
2.5-3-3-5=?Un par de precisiones… Los semiconductores son semiconductores, ni metales (conductores) ni no metales (aislantes) Es más, tienen más de no metales que de metales por el tipo de enlace que forma el silicio (es un enlace covalente, el mismo que forman el carbono, el oxígeno... y no es un enlace metálico con nube electrónica) y para obtener los electrones que se necesitan para la conducción es para lo que se recurre al dopado. El silicio puro es aislante, debido a que tiene cuatro electrones en la capa de valencia y cristaliza formando cuatro enlaces dos a dos (comparte un electrón con cada uno de los cuatro átomos que le rodean) por lo que consigue de esta forma los ocho electrones de la configuración de gas noble, la estable. Los dopados se introducen con átomos que tienen en su capa de valencia cinco o tres electrones, por lo que nos sobraría un electrón o un hueco (que ejercería de carga positiva de sobra) y este electrón de más o de menos es lo que permite la conducción. Por este motivo es por lo que los dopados no entorpecen el paso sino todo lo contrario, son imprescindibles y a mayor dopado, mayor conducción. Otra cosa son las conexiones entre los transistores, que sí que se realizan mediante contactos metálicos (normalmente cobre) en las que las impurezas suelen reducir la conductividad eléctrica.
Otra cosa es la tensión, que si es mucha o poca. Esto depende, entre otras cosas, del tamaño del transistor (la llamada tecnología) que implica que a menor tamaño, menos tensión es necesaria para su funcionamiento. Los micros antiguos funcionaban a más de 3'3V, y hoy le metes a uno esa tensión y lo fries.
El motivo de funcionamiento del burning no se cual es, pero no es la eliminación de impurezas del semiconductor. Lo único que se me ocurre es la formación de zonas permanentes de conducción a ambos extremos del canal del transistor (el canal del transistor solo conduce al aplicar una tensión determinada en cada una de las patas) y por ello se aumenta la conductividad. Debido a este aumento de la conductividad se permite un mayor paso de la corriente a igual tensión, por lo que se facilita el cambio de estado. Sería la aplicación de un efecto con las mismas consecuencias del silicio tensado (aumentar la conductividad del canal del transistor) pero mediante formas diferentes. El silicio tensado aumentando la conductividad de todo el canal de forma reducida pero uniforme, el burning de forma abrupta pero solo en una parte, dejando el centro del canal con mucha menor conductividad que los extremos. El problema es que existe la posibilidad de romper el transistor al realizar un exceso de quemado, y formar un canal conductor permanente, con lo que el transistor conduciría siempre y habríamos destruido el chip.
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Yeah the 1,1,2,1,1,2,1 means just the tightest Alpha timings you can. They dont NEED to be that tight, but the idea of rapid-burnin is to hit the memory cells as hard and fast as possible. So the fewer waitstates in all things the better.
On the DS and SlewR settings. At some point you should experiment to find what settings give you the best results, but this is a very long tedious process of change/test change/test and only impacts very slightly. So FIRST get everything else tweaked to the absolute maximum…THEN tweak in the best possible DS/SR setting.
In OC'ing to find the true max, its important not to travel down the wildgoose lane. So voltages/timings first, balance FSB-vs-Core based on the best your components can do, then get more and more into the esoteric final tweaks.
A ver si alguien encuentra una explicación al tema, porque que funciona esta claro, falta saber exactamente porque :D:D
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joer eso si que son timing agresivos, entonces me quedo con estas a tirar del divisor
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Por cierto, para los que les interesen los chips UTT, quizás se deberían leer este artículo de Legit Reviews: http://www.legitreviews.com/article.php?aid=199
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joer que petardada alguien hace un hiper resumen al tercer parrafo estaba aburrido ya,que soy de colegio de pago pero ese ingles es muy tecnico xD y las mushkin esas les hace falta una central electrica 3,5 v no veas
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UTT=UnTesTed memory -> memoria no probada. No es un modelo de chip concreto de un fabricante concreto, cualquier chip de cualquier fabricante puede ser UTT, solo basta con no probarlo en fábrica y venderlo sin marcar. Hay un proceso que se realiza a la memoria en fábrica antes de definir los timings para ver como de buenos son los chips. Si no se realiza, te ahorras una pasta y puedes vender más barato, algo casi necesario hoy en día por el exceso de oferta en chips de memoria. Los fabricantes venden a los integradores sin probar, y éstos son los que prueban y le meten los timings y la velocidad que le dan la gana.
Para conseguir esas velocidades, aconsejan meterle una tensión elevadísima, por lo que módulos que están empezando a salir no piden solo disipación pasiva, sino activa. Va a haber que meterle ventilación a la memoria también. Dicen que es bastante probable que dentro de poco veamos bloques de disipación líquida para la memoria.
Que el precio de los chips en estos módulos no cuesta más de 10$, y lo venden a 300$ debido a que por la tensión que hay que meterle para conseguir esa velocidad, y a las garantías de por vida, es probable que se quemen unos cuantos módulos que habrá que cambiar y para que sean rentables hay que cobrarlos a lo que lo cobran.
Total, que mejor comprar BH5 o TCCD que los "famosos" UTT.
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Dicen que es bastante probable que dentro de poco veamos bloques de disipación líquida para la memoria.
Ya existe eso. Hace no mucho hubo reviews por ahí.
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Me parece que el sentido del artículo es que sea imprescindible la líquida para ciertos módulos para "entusiastas", lo que sería muy cafre…
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SEDG.RaVeN si me pillare las 4000 pero no se si suben mas, o son las mismas, me imagino q seran las mismas y sera marketing.
kynes si claro los semiconductores son "semiconductores", y si el silicio puro es aislante, y como tu dices gracias a su dopado se vuelve conductor. Debido a tus grandes conocimientos de ensayos fisicos, y de quimica no puedo explicarte muxo, los mios son limitados, simplemente os cuento, mas o menos lo que leo y comprendo.
A lo q me referia perdonad, son los transistores, las pistas de estos con el burn-in se definen mejor, debido a la electromigracion de las impurezas del elemento superconductor.pero ese es el concepto lo unico q me imagino q tendra mas miga de como lo cuento. XD
De todas las maneras hay un monton de foros de guiris q lo explican pero son cosas muy tecnicas q no entiendo muy bien, kyne tu si controlas ingles lo mismo puedes sacar algo en claro.
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He encontrado una explicación más o menos razonable (a mi la verdad es que me ha convencido) de lo que puede estar pasando en el burning en http://people.freenet.de/s.urfer/conditioning.htm
Está en inglés, y la verdad es que ahora no me apetece mucho hacer un resumen. Esta tarde lo miro tranquilamente y lo intento resumir, pero lo que más o menos dice es que tiene que ver con los transistores p (los pnp, de canal p) que son más lentos que los transistores n. Mediante un efecto llamado degradación por electrones calientes de la capa de óxido de la puerta (hot-electron-degradation of the gateoxide) se consigue facilitar la conducción del canal al cargar esta capa de óxido negativamente, por lo que la diferencia de potencial aumenta y se facilita la conducción. El problema es que se produce el efecto contrario en los transistores n, se carga la capa de óxido de la puerta pero lo que se hace es disminuir la diferencia de potencial, pero al ser estos mucho más rápidos la pérdida de velocidad no afecta al no ser éstos el factor limitante.Lo que dice también es que no cree que tenga nada que ver ni con la electromigración ni con la teoría de la movilidad de iones (esto es, desplazar los dopados y colocarlos en el canal, aumentando la conducción en esa zona, lo que yo pensaba que podía ocurrir)
Recomienda hacer el burn in a velocidad lenta, tensión alta y temperatura baja, es decir, que según esta página es mejor hacer el burn in a 100 MHz que a 200 MHz…
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La verdad es que el tema es muy interesante, despierta mucha curiosidad. Veremos a ver q otras teorias nos presentan.
