Burn-in a CPU. mito o realidad?
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si esta por agua y yo por lo menos lo he puesto a 2860 a 1,6 vcore y curro
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pues a mi esto del burn-in me parece una leyenda urbana.. nunca había oído decir: le voy a hacer el rodaje a mi fx-55…
Alguien entendido en el tema puede explicarnos si se les puede hacer rodaje a los procesadores??? -
Alguien recuerda lo que posteó Kynes en el post de burn in en memorias?
He encontrado una explicación más o menos razonable (a mi la verdad es que me ha convencido) de lo que puede estar pasando en el burning en http://people.freenet.de/s.urfer/conditioning.htm
Está en inglés, y la verdad es que ahora no me apetece mucho hacer un resumen. Esta tarde lo miro tranquilamente y lo intento resumir, pero lo que más o menos dice es que tiene que ver con los transistores p (los pnp, de canal p) que son más lentos que los transistores n. Mediante un efecto llamado degradación por electrones calientes de la capa de óxido de la puerta (hot-electron-degradation of the gateoxide) se consigue facilitar la conducción del canal al cargar esta capa de óxido negativamente, por lo que la diferencia de potencial aumenta y se facilita la conducción. El problema es que se produce el efecto contrario en los transistores n, se carga la capa de óxido de la puerta pero lo que se hace es disminuir la diferencia de potencial, pero al ser estos mucho más rápidos la pérdida de velocidad no afecta al no ser éstos el factor limitante.Lo que dice también es que no cree que tenga nada que ver ni con la electromigración ni con la teoría de la movilidad de iones (esto es, desplazar los dopados y colocarlos en el canal, aumentando la conducción en esa zona, lo que yo pensaba que podía ocurrir)
Recomienda hacer el burn in a velocidad lenta, tensión alta y temperatura baja, es decir, que según esta página es mejor hacer el burn in a 100 MHz que a 200 MHz…
Ese enlace conduce a una página que habla sobre Burn In en procesadores y tal y como está explicado no parece ni mucho menos una leyenda urbana
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eso quería yo! una explicación científica!
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Yo como siempre retomando hilos enterrados, ahora estoy probando y parece que si funciona, mi primer objetivo es llegar a 250 con voltaje default, es decir 1.35 en bios y 1.31 en mbm5, hasta ahora me clababa en 246 y para 247 necesitaba 1.3648 en bios, despues de estabilizar los 247 a 1.3633 ahora estoy con 1.360, cuando llegue a 1.35 en bios arañaré otro MHz, por el momento iré subiendo hasta donde me deje.
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En el momento de este post le hice el burn-in a aquel 3800+ y no conseguí ningun resultado positivo, así que para mi, no es más que un mito
un saludo
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No creo que ha un procesador le funcione igual que a unas memorias.
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Pues el mito se hace realidad, ahora estoy testeando estabilidad con 1.28V a 246X10 lo que antes requeria 1.31V voy a seguir intentandolo para ver si alcanzo los 2500 con 1.31V o menos
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Cada caso es diferente, depende de qué limite. Puede limitar la interferencia entre las pistas del micro, puede ser cosa de un grupo de transistores concreto… A mi me funcionó con la X800pro, con el tiempo pasé de 525 a 540 MHz, y de 565 a 595 MHz en la memoria, pero en mi caso no fue un burn in al uso, fue simplemente por la utilización de la tarjeta.
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Se supone que el burn es un ciclo continuo para hacer subir un componente de velocidad a un voltaje alto para que luego se estabilice y necesite menos, un poco mal explicado pero se me entiende la idea. Supongo que habra casos en los que este echo se de, y otros en los que ni por asomo, en cualquier caso es menos frecuente en micros, dado su complejidad.
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Realmente en uno de los links de otro tema (el de las UTT) lo que se recomienda es empezar el burning con voltajes altos (relativamente, 3V para las UTT es normalito, yo ahora las tengo a 3.53 cosa que de primeras no aguantaban ni de coña). y a frecuencias más bajas pero metiendole timings más agresivos, es cierto que un procesador es inmensamente más complejo que un módulo de memoria pero el principio teorico es basicamente el mismo:
He encontrado una explicación más o menos razonable (a mi la verdad es que me ha convencido) de lo que puede estar pasando en el burning en http://people.freenet.de/s.urfer/conditioning.htm
Está en inglés, y la verdad es que ahora no me apetece mucho hacer un resumen. Esta tarde lo miro tranquilamente y lo intento resumir, pero lo que más o menos dice es que tiene que ver con los transistores p (los pnp, de canal p) que son más lentos que los transistores n. Mediante un efecto llamado degradación por electrones calientes de la capa de óxido de la puerta (hot-electron-degradation of the gateoxide) se consigue facilitar la conducción del canal al cargar esta capa de óxido negativamente, por lo que la diferencia de potencial aumenta y se facilita la conducción. El problema es que se produce el efecto contrario en los transistores n, se carga la capa de óxido de la puerta pero lo que se hace es disminuir la diferencia de potencial, pero al ser estos mucho más rápidos la pérdida de velocidad no afecta al no ser éstos el factor limitante.Lo que dice también es que no cree que tenga nada que ver ni con la electromigración ni con la teoría de la movilidad de iones (esto es, desplazar los dopados y colocarlos en el canal, aumentando la conducción en esa zona, lo que yo pensaba que podía ocurrir)
Recomienda hacer el burn in a velocidad lenta, tensión alta y temperatura baja, es decir, que según esta página es mejor hacer el burn in a 100 MHz que a 200 MHz…
Lo cierto es que ahora estoy dandole más caña al core 0 que es el vago y el más fresquito de los dos, tambien es cierto que veo un progreso positivo pero extremadamente lento, ahora estoy en los 247, no aguantaba el SP2004 ni un par de horas a menos de =1.325X1.03=1.36475V en bios, ahora acabo de parar una sesión de 12H (ambos cores) a 1.3X1.03=1.3390 no es que sea para tirar cohetes pero si se ve un progreso, lo que no se es si tendre paciencia para llevarlo a 2500 con 1.35V en bios o menos, de todas formas igual vendo las UTT y relajando latencias (con TCCD no hago eso ni de milagro) el controlador de memoria no sufre tanto, he observado que es uno de los problemas porque si bajo el multi con las memos a 250 aguanta el memtest 50 pasadas pero con el de diez al mismo voltaje casca a 248 en la pasada 4 con miles de errores.
