A ver, por lo que tengo entendido, el tema es que las celdas de un ssd retienen una cantidad de electricidad, para generar una tensión, para indicar el estado, que pueden ser dos en un SLC, cuatro en un MLC, ocho en un TLC o dieciséis en un QLC. El problema es que con el tiempo, los materiales como indica Bm4n se van desgastando, las capas de aislante tienen menos átomos de grosor, y van perdiendo propiedades con cada ciclo de escritura. Por eso, cuando antes grababan un estado representado con una tensión de 0,8V, tras mil ciclos quizás esa misma tensión de entrada te graba 0,65V, porque la capa de aislante se ha desgastado y retiene menos electricidad en la celda.
En una celda SLC no es tan grave porque al ser dos estados, los márgenes son muy superiores, por lo que las bandas que representan el cero y el uno son amplias, con márgenes de errores grandes. En una celda QLC necesitas dieciséis posibles estados distintos, los márgenes de error son muy pequeños, por lo que una variación de pocas decenas de mV te pueden generar un dato erróneo, con la consiguiente invalidación de la celda por la controladora del disco.
No sé si recordáis el problema que tuvo Samsung con los 840EVO, que empezaban a ralentizarse mucho tras cierto uso, esto se debía a que empezaba a sufrir el desgaste de las celdas TLC (era el primer disco Samsung que las usaba) y el sistema de corrección de errores de la controladora tenía que trabajar a saco. La solución fue ir alterando la tensión de lectura de los datos en función del desgaste del disco, para corregir la menor retención de electricidad por las celdas.
En el siguiente enlace de anandtech se explica lo que ocurrió, y la solución que le dieron al problema:
http://www.anandtech.com/show/8617/samsung-releases-firmware-update-to-fix-the-ssd-840-evo-read-performance-bug
PD: Perdonad el retraso, todavía me queda una semana de exámenes y estudiar cerca de los cuarenta es un infierno.
